MOSFET onsemi FDMC86184, VDSS 100 V, ID 57 A, PQFN8 de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
57 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
PQFN8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8,5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
54 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
3.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud
3.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
21 nC @ 10 V
Altura
0.75mm
Serie
PowerTrench
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 100 V a 1700 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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$ 1.179
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 1.403,01
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3000
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N
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8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8,5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Disipación de Potencia Máxima
54 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
3.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud
3.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
21 nC @ 10 V
Altura
0.75mm
Serie
PowerTrench
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
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