Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
51 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Tipo de Encapsulado
Power33
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
52000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
3.4mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 10 V
Altura
0.75mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
País de Origen
Philippines
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P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
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onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
51 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Tipo de Encapsulado
Power33
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
52000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
3.4mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 10 V
Altura
0.75mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
País de Origen
Philippines