MOSFET onsemi FCPF067N65S3, VDSS 650 V, ID 44 A, TO-220F de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
44 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
TO-220F
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
67 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
46 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Profundidad
4.9mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
10.36mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
78 nC a 10 V
Altura
16.07mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
China
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$ 5.670
Each (In a Tube of 1000) (Sin IVA)
$ 6.747,30
Each (In a Tube of 1000) (IVA Incluido)
1000
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N
Maximum Continuous Drain Current
44 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
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TO-220F
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
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67 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
46 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Profundidad
4.9mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
78 nC a 10 V
Altura
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Temperatura de Funcionamiento Mínima
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