MOSFET onsemi FCMT360N65S3, VDSS 650 V, ID 10 A, PQFN4 de 4 pines, , config. Simple

Name: MOSFET onsemi FCMT360N65S3, VDSS 650 V, ID 10 A, PQFN4 de 4 pines, , config. Simple
Brand: onsemi
SKU: 1952502
Availability: LimitedAvailability

Código de producto RS: 195-2502Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: FCMT360N65S3

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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

10 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Tipo de Encapsulado

PQFN4

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

360 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

83000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

8mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

18 nC a 10 V

Profundidad

8mm

Número de Elementos por Chip

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

1.05mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

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$ 2.276

Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)

$ 2.708,44

Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)

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3000

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Brand

onsemi

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

10 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Tipo de Encapsulado

PQFN4

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

360 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

83000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

8mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

18 nC a 10 V

Profundidad

8mm

Número de Elementos por Chip

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

1.05mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C