MOSFET onsemi FCMT180N65S3, VDSS 650 V, ID 17 A, Power88 de 4 pines, , config. Simple

Brand

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

17 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Tipo de Encapsulado

Power88

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

4

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

180 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

139000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

8mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

33 nC a 10 V

Profundidad

8mm

Número de Elementos por Chip

1

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

1.05mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

País de Origen

Philippines