Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
2 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
115 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
30000 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
40
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones
9.9 x 4.5 x 15.7mm
Datos del producto
Transistores NPN de potencia, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
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$ 1.275
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 1.517,25
Each (In a Tube of 50) (IVA Incluido)
50
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
---|---|---|
50 - 50 | $ 1.275 | $ 63.750 |
100 - 200 | $ 1.199 | $ 59.950 |
250+ | $ 1.148 | $ 57.400 |
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Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
2 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
115 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
30000 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
40
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones
9.9 x 4.5 x 15.7mm
Datos del producto
Transistores NPN de potencia, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.