Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
65 V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
380 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
200
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
100 MHz
Conteo de Pines
6
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones
0.9 x 2 x 1.25mm
Datos del producto
Transistores NPN de pequeña señal, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
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P.O.A.
25
P.O.A.
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Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
65 V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
380 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
200
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
100 MHz
Conteo de Pines
6
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones
0.9 x 2 x 1.25mm
Datos del producto
Transistores NPN de pequeña señal, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.