Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
PNP
Tensión Máxima Colector-Emisor
-160 V
Tipo de Encapsulado
IPAK (7518-003)
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
15000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Emisor-Base
-6 V
Conteo de Pines
3 + Tab
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
6.5 x 2.3 x 5.5mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
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P.O.A.
25
P.O.A.
25
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
PNP
Tensión Máxima Colector-Emisor
-160 V
Tipo de Encapsulado
IPAK (7518-003)
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
15000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Emisor-Base
-6 V
Conteo de Pines
3 + Tab
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
6.5 x 2.3 x 5.5mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC