Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorConfiguración de diodo
Ánodo común
Tipo de Dirección
Uni-Directional
Tensión Residual Máxima
9.8V
Tensión Mínima de Ruptura
6.2V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
300W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
17A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Corriente de Fugas Inversa Máxima
10µA
Longitud
3.04mm
Altura
1.01mm
Profundidad
1.40mm
Corriente de Prueba
1mA
Datos del producto
ESD Protectors, ON Semiconductor
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
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P.O.A.
50
P.O.A.
50
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Especificaciones
Brand
ON SemiconductorConfiguración de diodo
Ánodo común
Tipo de Dirección
Uni-Directional
Tensión Residual Máxima
9.8V
Tensión Mínima de Ruptura
6.2V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
300W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
17A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Corriente de Fugas Inversa Máxima
10µA
Longitud
3.04mm
Altura
1.01mm
Profundidad
1.40mm
Corriente de Prueba
1mA
Datos del producto