JFET, MMBFJ110, N-Canal, 15 V, Único, SOT-23, 3-Pines Simple

Código de producto RS: 806-4302PMarca: ON SemiconductorNúmero de parte de fabricante: MMBFJ110
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss

min. 10mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

15 V

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V

Maximum Drain Gate Voltage

25V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

Ω18

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Conteo de Pines

3

Capacidad Drenador-Fuente

85pF

Capacidad Fuente-Puerta

85pF

Dimensiones del Cuerpo

2.92 x 1.4 x 0.94mm

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

2.92mm

Altura

0.94mm

Ancho

1.4mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Datos del producto

JFET de canal N, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

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JFET, MMBFJ110, N-Canal, 15 V, Único, SOT-23, 3-Pines Simple
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Tipo de Canal

N

Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss

min. 10mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

15 V

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V

Maximum Drain Gate Voltage

25V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

Ω18

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Conteo de Pines

3

Capacidad Drenador-Fuente

85pF

Capacidad Fuente-Puerta

85pF

Dimensiones del Cuerpo

2.92 x 1.4 x 0.94mm

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

2.92mm

Altura

0.94mm

Ancho

1.4mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

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