Transistor, FJPF2145TU, NPN 5 A TO-220F, 3 pines

Código de producto RS: 864-8969PMarca: ON SemiconductorNúmero de parte de fabricante: FJPF2145TU
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Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Transistor

NPN

Corriente DC Máxima del Colector

5 A

Tipo de Encapsulado

TO-220F

Tipo de montaje

Through Hole

Disipación de Potencia Máxima

40 W

Ganancia Mínima de Corriente DC

20

Conteo de Pines

3

Máxima Temperatura de Funcionamiento

125 °C

Dimensiones del Cuerpo

10.36 x 4.9 x 16.07mm

Datos del producto

Transistor de potencia ESBC™, Fairchild Semiconductor

Transistores de potencia NPN bipolares diseñados para usar en configuraciones ESBC™ (emisor-conmutado bipolar/cascode MOSFET) junto con los correspondientes dispositivos MOSFET de potencia. Esta configuración de interruptor de potencia proporciona una mayor eficiencia, flexibilidad y solidez, además, la potencia de transmisión se minimiza debido a la ausencia de capacitancia Miller en el diseño.

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

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P.O.A.

Transistor, FJPF2145TU, NPN 5 A TO-220F, 3 pines
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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
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NPN

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Through Hole

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40 W

Ganancia Mínima de Corriente DC

20

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3

Máxima Temperatura de Funcionamiento

125 °C

Dimensiones del Cuerpo

10.36 x 4.9 x 16.07mm

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Transistores de potencia NPN bipolares diseñados para usar en configuraciones ESBC™ (emisor-conmutado bipolar/cascode MOSFET) junto con los correspondientes dispositivos MOSFET de potencia. Esta configuración de interruptor de potencia proporciona una mayor eficiencia, flexibilidad y solidez, además, la potencia de transmisión se minimiza debido a la ausencia de capacitancia Miller en el diseño.

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