Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
2 + Tab
Disipación de Potencia Máxima
65 W
Transistor Configuration
Single
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
SiC
Longitud:
10.67mm
Ancho
4.8mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
16.51mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
2.4V
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P.O.A.
5
P.O.A.
5
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
2 + Tab
Disipación de Potencia Máxima
65 W
Transistor Configuration
Single
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
SiC
Longitud:
10.67mm
Ancho
4.8mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
16.51mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
2.4V