Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
211 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
PQFN
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,09 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
74000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Profundidad
5.85mm
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
102 nC a 10 V
Altura
1.05mm
Serie
PowerTrench
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 30V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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P.O.A.
10
P.O.A.
10
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Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
211 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
PQFN
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,09 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
74000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Profundidad
5.85mm
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
102 nC a 10 V
Altura
1.05mm
Serie
PowerTrench
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Datos del producto