Par Darlington, BSP50, NPN 800 mA, 45 V, HFE:1000, SOT-223, 3 + Tab pines Simple

Name: Par Darlington, BSP50, NPN 800 mA, 45 V, HFE:1000, SOT-223, 3 + Tab pines Simple
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1663381

Código de producto RS: 166-3381Marca: ON SemiconductorNúmero de parte de fabricante: BSP50

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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

ON Semiconductor

Tipo de Transistor

NPN

Corriente Máxima Continua del Colector

800 mA

Tensión Máxima Colector-Emisor

45 V

Tensión Máxima Emisor-Base

5 V

Tipo de Encapsulado

SOT-223-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3 + Tab

Transistor Configuration

Single

Número de Elementos por Chip

Ganancia Mínima de Corriente DC

1000

Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor

1.9 V

Maximum Collector Base Voltage

60 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

1.3 V

Corriente de Corte Máxima del Colector

50nA

Altura

1.6mm

Ancho

3.5mm

Disipación de Potencia Máxima

1000 mW

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Dimensiones del Cuerpo

6.5 x 3.5 x 1.6mm

Longitud

6.5mm

PRICED TO CLEAR

Yes

Datos del producto

Transistores NPN Darlington, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

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4000

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Brand

ON Semiconductor

Tipo de Transistor

NPN

Corriente Máxima Continua del Colector

800 mA

Tensión Máxima Colector-Emisor

45 V

Tensión Máxima Emisor-Base

5 V

Tipo de Encapsulado

SOT-223-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3 + Tab

Transistor Configuration

Single

Número de Elementos por Chip

Ganancia Mínima de Corriente DC

1000

Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor

1.9 V

Maximum Collector Base Voltage

60 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

1.3 V

Corriente de Corte Máxima del Colector

50nA

Altura

1.6mm

Ancho

3.5mm

Disipación de Potencia Máxima

1000 mW

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Dimensiones del Cuerpo

6.5 x 3.5 x 1.6mm

Longitud

6.5mm

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