JFET, PMBF4391,215, N-Canal, 40 V, Único, SOT-23, 3-Pines Simple

Name: JFET, PMBF4391,215, N-Canal, 40 V, Único, SOT-23, 3-Pines Simple
Brand: NXP
SKU: 1660547

Código de producto RS: 166-0547Marca: NXPNúmero de parte de fabricante: PMBF4391,215

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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

NXP

Tipo de Canal

Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss

50 to 150mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-40 V

Maximum Drain Gate Voltage

40V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

30 Ω

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Conteo de Pines

Dimensiones del Cuerpo

3 x 1.4 x 1mm

Altura

1mm

Profundidad

1.4mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-65 °C

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

3mm

País de Origen

China

Datos del producto

JFET de canal N, NXP

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

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JFET, PMBF4391,215, N-Canal, 40 V, Único, SOT-23, 3-Pines Simple

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Brand

NXP

Tipo de Canal

Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss

50 to 150mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-40 V

Maximum Drain Gate Voltage

40V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

30 Ω

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Conteo de Pines

Dimensiones del Cuerpo

3 x 1.4 x 1mm

Altura

1mm

Profundidad

1.4mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-65 °C

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

3mm

País de Origen

China

Datos del producto

JFET de canal N, NXP

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.