MOSFET Nexperia PMV30UN2R, VDSS 20 V, ID 5,4 A, TO-236 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
5.4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Series
PMV30UN2
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.9V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
5000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
12 V
Profundidad
1.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6,2 nC a 4,5 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3mm
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
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$ 148
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 176,12
Each (On a Reel of 3000) (IVA Inc.)
3000
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3000
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Rollo |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | $ 148 | $ 444.000 |
| 6000 - 12000 | $ 142 | $ 426.000 |
| 15000 - 27000 | $ 137 | $ 411.000 |
| 30000 - 72000 | $ 131 | $ 393.000 |
| 75000+ | $ 129 | $ 387.000 |
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N
Maximum Continuous Drain Current
5.4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Series
PMV30UN2
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.9V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
5000 mW
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
12 V
Profundidad
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