MOSFET Nexperia PMDXB600UNELZ, VDSS 20 V, ID 600 mA, DFN1010B-6, SOT1216 de 8 pines, 6elementos

Código de producto RS: 153-0749Marca: NexperiaNúmero de parte de fabricante: PMDXB600UNELZ
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Nexperia

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

600 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

DFN1010B-6, SOT1216

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

0.95V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.45V

Disipación de Potencia Máxima

4.025 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

8 V

Profundidad

1.05mm

Número de Elementos por Chip

6

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

1.15mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0,4 nC a 10 V

Altura

0.36mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

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P.O.A.

MOSFET Nexperia PMDXB600UNELZ, VDSS 20 V, ID 600 mA, DFN1010B-6, SOT1216 de 8 pines, 6elementos

5000

Disponible en múltiplos de 5000
5000P.O.A.
10000P.O.A.
15000P.O.A.
20000P.O.A.
25000P.O.A.
30000P.O.A.
35000P.O.A.
40000P.O.A.
45000P.O.A.
50000P.O.A.
55000P.O.A.
60000P.O.A.
65000P.O.A.
70000P.O.A.
75000P.O.A.

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Nexperia

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

600 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

DFN1010B-6, SOT1216

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

0.95V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.45V

Disipación de Potencia Máxima

4.025 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

8 V

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1.05mm

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Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

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