Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9.2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.1V
Disipación de Potencia Máxima
1.33 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,33 nC a 4,5 V
Ancho
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
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P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
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Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9.2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.1V
Disipación de Potencia Máxima
1.33 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,33 nC a 4,5 V
Ancho
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China