MOSFET Nexperia NX3008CBKS,115, VDSS 30 V, ID 200 mA, 350 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos

Código de producto RS: 136-2144Marca: NexperiaNúmero de parte de fabricante: NX3008CBKS,115
brand-logo
Ver todo de MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N, P

Maximum Continuous Drain Current

200 mA, 350 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOT-363

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2,8 Ω, 7,8 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.1V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.6V

Disipación de Potencia Máxima

990 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Número de Elementos por Chip

2

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud:

2.2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0,52 nC a 4,5 V, 0,55 nC a 4,5 V

Profundidad

1.35mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Estándar de automoción

AEC-Q101

Altura

1mm

País de Origen

Malaysia

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más

Volver a intentar más tarde

Vuelva a verificar más tarde.

Volver a intentar más tarde

P.O.A.

MOSFET Nexperia NX3008CBKS,115, VDSS 30 V, ID 200 mA, 350 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos

P.O.A.

MOSFET Nexperia NX3008CBKS,115, VDSS 30 V, ID 200 mA, 350 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos
Volver a intentar más tarde

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más

Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N, P

Maximum Continuous Drain Current

200 mA, 350 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOT-363

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2,8 Ω, 7,8 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.1V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.6V

Disipación de Potencia Máxima

990 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Número de Elementos por Chip

2

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud:

2.2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0,52 nC a 4,5 V, 0,55 nC a 4,5 V

Profundidad

1.35mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Estándar de automoción

AEC-Q101

Altura

1mm

País de Origen

Malaysia

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más