Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
150 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
250 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Longitud:
3mm
Ancho
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, 100 V y superior, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
Empaque de Producción (Rollo)
100
P.O.A.
Empaque de Producción (Rollo)
100
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
150 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
250 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Longitud:
3mm
Ancho
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto