MOSFET Nexperia BSH121,135, VDSS 55 V, ID 300 mA, SOT-323 (SC-70) de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 166-0258Marca: NexperiaNúmero de parte de fabricante: BSH121,135
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

300 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

55 V

Tipo de Encapsulado

SOT-323

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

4 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.3V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.4V

Disipación de Potencia Máxima

700 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Ancho

1.35mm

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud:

2.2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

1 nC a 8 V

Altura

1mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-65 °C

País de Origen

Hong Kong

Datos del producto

MOSFET de canal N, 40V a 55V

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

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Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

4 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.3V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.4V

Disipación de Potencia Máxima

700 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Ancho

1.35mm

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud:

2.2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

1 nC a 8 V

Altura

1mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

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