Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MicrochipTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
330 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
9 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.4 Ω
Modo de Canal
Depletion
Disipación de Potencia Máxima
360 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-12 V, +0.6 V
Temperatura máxima de funcionamiento
125 °C
Material del transistor
Si
Longitud:
3.05mm
Ancho
1.75mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
1.3mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-25 °C
Datos del producto
Transistores MOSFET de canal N LND01
Microchip LND01 es un transistor MOSFET de modo de reducción (normalmente activado) y de umbral bajo. El diseño combina la capacidad de gestión de potencia de un transistor bipolar con la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo de los dispositivos MOS.
Características
Bidireccional
Baja resistencia
Baja capacitancia de entrada
Velocidades de conmutación rápidas
Alta impedancia de entrada y ganancia alta
Bajos requisitos de potencia de excitación
Facilidad de funcionamiento en paralelo
MOSFET Transistors, Microchip
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P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MicrochipTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
330 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
9 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.4 Ω
Modo de Canal
Depletion
Disipación de Potencia Máxima
360 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-12 V, +0.6 V
Temperatura máxima de funcionamiento
125 °C
Material del transistor
Si
Longitud:
3.05mm
Ancho
1.75mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
1.3mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-25 °C
Datos del producto
Transistores MOSFET de canal N LND01
Microchip LND01 es un transistor MOSFET de modo de reducción (normalmente activado) y de umbral bajo. El diseño combina la capacidad de gestión de potencia de un transistor bipolar con la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo de los dispositivos MOS.
Características
Bidireccional
Baja resistencia
Baja capacitancia de entrada
Velocidades de conmutación rápidas
Alta impedancia de entrada y ganancia alta
Bajos requisitos de potencia de excitación
Facilidad de funcionamiento en paralelo