MOSFET MagnaChip MDP1921TH, VDSS 100 V, ID 153 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 871-4965Marca: MagnaChipNúmero de parte de fabricante: MDP1921TH
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

153 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

4.5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Disipación de Potencia Máxima

223 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

10.67mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

100 nC a 10 V

Profundidad

4.83mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

16.51mm

País de Origen

Korea, Republic Of

Datos del producto

MOSFET (LV) de baja tensión

Estos MOSFET (LV) de baja tensión proporcionan una resistencia en funcionamiento baja y un rendimiento de conmutación bajo.

MOSFET Transistors, MagnaChip

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$ 2.009

Each (In a Tube of 10) (Sin IVA)

$ 2.390,71

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Tubo
10 - 40$ 2.009$ 20.090
50 - 90$ 1.810$ 18.100
100 - 290$ 1.649$ 16.490
300 - 490$ 1.616$ 16.160
500+$ 1.584$ 15.840

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Through Hole

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3

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4.5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Disipación de Potencia Máxima

223 W

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Single

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Si

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1

Temperatura de Funcionamiento Mínima

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Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

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