Transistor MOSFET International Rectifier IRF7807ZPBF, VDSS 30 V, ID 11 A, SOIC de 8 pines

Brand

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

11 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOIC W

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

14 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

2.5 W

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Ancho

4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

7,2 nC a 4,5 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

5mm

Series

HEXFET

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.5mm