MOSFET International Rectifier IRF7809AVTRPBF, VDSS 30 V, ID 14,6 A, SO de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 162-3275Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IRF7809AVTRPBF
brand-logo
Ver todo de MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

14.6 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

9 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±12 V

Profundidad

4mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

41 nC a 5 V

Serie

IRF7809AV

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.5mm

Tensión de diodo directa

1.3V

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más

Volver a intentar más tarde

Vuelva a verificar más tarde.

Volver a intentar más tarde

P.O.A.

MOSFET International Rectifier IRF7809AVTRPBF, VDSS 30 V, ID 14,6 A, SO de 8 pines, , config. Simple

4000

Disponible en múltiplos de 4000
4000P.O.A.
8000P.O.A.
12000P.O.A.
16000P.O.A.
20000P.O.A.
24000P.O.A.
28000P.O.A.
32000P.O.A.
36000P.O.A.
40000P.O.A.
44000P.O.A.
48000P.O.A.
52000P.O.A.
56000P.O.A.
60000P.O.A.

P.O.A.

MOSFET International Rectifier IRF7809AVTRPBF, VDSS 30 V, ID 14,6 A, SO de 8 pines, , config. Simple
Volver a intentar más tarde

4000

Disponible en múltiplos de 4000
4000P.O.A.
8000P.O.A.
12000P.O.A.
16000P.O.A.
20000P.O.A.
24000P.O.A.
28000P.O.A.
32000P.O.A.
36000P.O.A.
40000P.O.A.
44000P.O.A.
48000P.O.A.
52000P.O.A.
56000P.O.A.
60000P.O.A.

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

14.6 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

9 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±12 V

Profundidad

4mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

41 nC a 5 V

Serie

IRF7809AV

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.5mm

Tensión de diodo directa

1.3V

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más