MOSFET Infineon IRF3710ZPBF, VDSS 100 V, ID 59 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
59 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Serie
HEXFET
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
18 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
160000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
82 nC a 10 V
Ancho
4.69mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud
10.54mm
Altura
8.77mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Mexico
Datos del producto
MOSFET de rectificador síncrono ac-dc y control de motor, Infineon
MOSFET para control del motor
Infineon ofrece una cartera completa de dispositivos MOSFET de canal N y P resistentes para las aplicaciones de control de motor.
MOSFET de rectificador síncrono
Una cartera de dispositivos MOSFET de rectificación síncrona para fuentes de alimentación ac-dc admite la demanda de los clientes de una mayor densidad de potencia, menor tamaño, más portabilidad y sistemas más flexibles.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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$ 1.876
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
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TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
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3
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18 mΩ
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Mejora
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4V
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2V
Disipación de Potencia Máxima
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Single
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Temperatura de Funcionamiento Máxima
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Si
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MOSFET Transistors, Infineon
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