MOSFET Infineon IPD65R400CEAUMA1, VDSS 700 V, ID 15,1 A, DPAK (TO-252) de 3 pines

Código de producto RS: 130-0903Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IPD65R400CEAUMA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

15.1 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

700 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

400 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

118 W

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Profundidad

6.22mm

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

39 nC a 10 V

Altura

2.41mm

Serie

CoolMOS CE

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

0.9V

Datos del producto

Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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P.O.A.

MOSFET Infineon IPD65R400CEAUMA1, VDSS 700 V, ID 15,1 A, DPAK (TO-252) de 3 pines
Seleccionar tipo de embalaje

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

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DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

400 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

118 W

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Profundidad

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1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

6.73mm

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Altura

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Serie

CoolMOS CE

Mínima Temperatura de Funcionamiento

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Tensión de diodo directa

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