MOSFET Infineon IPD50N10S3L16ATMA1, VDSS 100 V, ID 50 A, TO-252 de 3 + 2 Tab pines, config. Simple

Brand

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

50 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Tipo de Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3 + 2 Tab

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

19,9 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.4V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

100000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Profundidad

7.22mm

Número de Elementos por Chip

1

Carga Típica de Puerta @ Vgs

49 nC a 10 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud

6.5mm

Altura

2.3mm

Serie

IPD50N10S3L-16

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Estándar de automoción

AEC-Q101