MOSFET Infineon IPD25CN10NGATMA1, VDSS 100 V, ID 35 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Name: MOSFET Infineon IPD25CN10NGATMA1, VDSS 100 V, ID 35 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Brand: Infineon
SKU: 1702266
Availability: LimitedAvailability

Código de producto RS: 170-2266Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IPD25CN10NGATMA1

Ver todo de MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

35 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Serie

IPD25CN10N G

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

26 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

Tensión de umbral de puerta mínima

Disipación de Potencia Máxima

71000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Profundidad

7.47mm

Número de Elementos por Chip

Carga Típica de Puerta @ Vgs

23 nC @ 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Longitud:

6.73mm

Altura

2.41mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Volver a intentar más tarde

Vuelva a verificar más tarde.

Volver a intentar más tarde

$ 897

Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)

$ 1.067,43

Each (On a Reel of 2500) (IVA Incluido)

MOSFET Infineon IPD25CN10NGATMA1, VDSS 100 V, ID 35 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

2500

$ 897

Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)

$ 1.067,43

Each (On a Reel of 2500) (IVA Incluido)

MOSFET Infineon IPD25CN10NGATMA1, VDSS 100 V, ID 35 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Volver a intentar más tarde

2500

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos

Haga clic aquí para conocer más

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

35 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Serie

IPD25CN10N G

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

26 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

Tensión de umbral de puerta mínima

Disipación de Potencia Máxima

71000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Profundidad

7.47mm

Número de Elementos por Chip

Carga Típica de Puerta @ Vgs

23 nC @ 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Longitud:

6.73mm

Altura

2.41mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V