MOSFET Infineon IPD200N15N3GATMA1, VDSS 150 V, ID 50 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
150 V
Serie
IPD200N15N3 G
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
150000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Profundidad
9.45mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
10.36mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
23 nC @ 10 V
Altura
4.57mm
Tensión de diodo directa
1.2V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
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$ 2.047
Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 2.435,93
Each (On a Reel of 2500) (IVA Incluido)
2500
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N
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+175 °C
Longitud:
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