MOSFET Infineon IPD053N08N3GATMA1, VDSS 80 V, ID 90 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Name: MOSFET Infineon IPD053N08N3GATMA1, VDSS 80 V, ID 90 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Brand: Infineon
SKU: 1702283
Availability: LimitedAvailability

Código de producto RS: 170-2283Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IPD053N08N3GATMA1

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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

90 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

80 V

Serie

IPD053N08N3 G

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

9,5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

Disipación de Potencia Máxima

150000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Número de Elementos por Chip

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud:

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

52 nC a 10 V

Ancho

7.36mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

2.41mm

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$ 1.045

Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)

$ 1.243,55

Each (On a Reel of 2500) (IVA Incluido)

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2500

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Brand

Infineon

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

90 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

80 V

Serie

IPD053N08N3 G

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

9,5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

Disipación de Potencia Máxima

150000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Número de Elementos por Chip

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud:

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

52 nC a 10 V

Ancho

7.36mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

2.41mm