MOSFET Infineon IPB107N20N3GATMA1, VDSS 200 V, ID 88 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
88 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-160 V
Serie
OptiMOS
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
11 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
9.45mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Largo
10.31mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
65 nC a 10 V
Altura
4.57mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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$ 6.873
Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
$ 8.178,87
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1000
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N
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88 A
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Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
11 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
9.45mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Largo
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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