MOSFET Infineon IPB065N15N3GATMA1, VDSS 150 V, ID 130 A, D2PAK-7 de 7 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 178-7444Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IPB065N15N3GATMA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

130 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

150 V

Tipo de Encapsulado

D2PAK-7

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

7

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

6.8 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

300000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

4.57mm

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

Si

Longitud:

10.31mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

70 nC a 10 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Altura

9.45mm

Serie

OptiMOS 3

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Datos del producto

MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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$ 3.677

Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)

$ 4.375,63

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N

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130 A

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D2PAK-7

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

7

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

6.8 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

300000 mW

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Single

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±20 V

Profundidad

4.57mm

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1

Material del transistor

Si

Longitud:

10.31mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

70 nC a 10 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Altura

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Serie

OptiMOS 3

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Tensión de diodo directa

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