Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
660 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Tipo de Encapsulado
SOT-223-5
Serie
SIPMOS
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,8 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
1.8 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.5mm
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
12,9 nC a 10 V
Profundidad
3.5mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.6mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N SIPMOS® de Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
$ 679
Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
$ 808,01
Each (On a Reel of 1000) (IVA Incluido)
1000
$ 679
Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
$ 808,01
Each (On a Reel of 1000) (IVA Incluido)
1000
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
660 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Tipo de Encapsulado
SOT-223-5
Serie
SIPMOS
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,8 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
1.8 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.5mm
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
12,9 nC a 10 V
Profundidad
3.5mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.6mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N SIPMOS® de Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.