Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
30 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima
330 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
250 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
Transistores NPN de señal pequeña, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
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P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
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Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
30 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima
330 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
250 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto