Módulo IGBT, 2MBi300U4J-120-50, Serie, 300 A, 1.200 V, N-Canal, M250, 15-Pines Serie

Código de producto RS: 716-5583Marca: Fuji ElectricNúmero de parte de fabricante: 2MBi300U4J-120-50
brand-logo
Ver todo de Home

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Fuji Electric

Corriente Máxima Continua del Colector

300 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

1,39 kW

Tipo de Encapsulado

M250

Configuration

Series

Tipo de montaje

PCB Mount

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

15

Transistor Configuration

Series

Dimensiones del Cuerpo

150 x 62 x 17mm

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Datos del producto

Discretos IGBT, Fuji Electric

IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más

Volver a intentar más tarde

Vuelva a verificar más tarde.

Volver a intentar más tarde

P.O.A.

Módulo IGBT, 2MBi300U4J-120-50, Serie, 300 A, 1.200 V, N-Canal, M250, 15-Pines Serie

1

Disponible en múltiplos de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

Módulo IGBT, 2MBi300U4J-120-50, Serie, 300 A, 1.200 V, N-Canal, M250, 15-Pines Serie
Volver a intentar más tarde

1

Disponible en múltiplos de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Fuji Electric

Corriente Máxima Continua del Colector

300 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

1,39 kW

Tipo de Encapsulado

M250

Configuration

Series

Tipo de montaje

PCB Mount

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

15

Transistor Configuration

Series

Dimensiones del Cuerpo

150 x 62 x 17mm

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Datos del producto

Discretos IGBT, Fuji Electric

IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más