Documentos Técnicos
Especificaciones
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Encapsulado
DO-201AD
Corriente Continua Máxima Directa
3A
Tensión Repetitiva Inversa de Pico
400V
Configuración de diodo
Single
Tipo de Diodo
Silicon Junction
Conteo de Pines
2
Caída de tensión directa máxima
1.2V
Número de Elementos por Chip
1
Tecnología de diodo
Silicon Junction
Diámetro
5.6mm
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
200A
País de Origen
Malaysia
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P.O.A.
1250
P.O.A.
1250
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Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Encapsulado
DO-201AD
Corriente Continua Máxima Directa
3A
Tensión Repetitiva Inversa de Pico
400V
Configuración de diodo
Single
Tipo de Diodo
Silicon Junction
Conteo de Pines
2
Caída de tensión directa máxima
1.2V
Número de Elementos por Chip
1
Tecnología de diodo
Silicon Junction
Diámetro
5.6mm
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
200A
País de Origen
Malaysia