Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
200 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
40 V
Tipo de Encapsulado
DFN-1006
Tipo de montaje
Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima
1000 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
100
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
60 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
100 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
1.07 x 0.67 x 0.48mm
Datos del producto
Transistores NPN de pequeña señal, Diodes Inc
Transistors, Diodes Inc
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P.O.A.
Empaque de Producción (Rollo)
50
P.O.A.
Empaque de Producción (Rollo)
50
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Brand
DiodesZetexTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
200 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
40 V
Tipo de Encapsulado
DFN-1006
Tipo de montaje
Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima
1000 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
100
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
60 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
100 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
1.07 x 0.67 x 0.48mm
Datos del producto