MOSFET DiodesZetex DMT6018LDR-13, VDSS 60 V, ID 11,4 A, V-DFN3030 de 8 pines, 2elementos

Name: MOSFET DiodesZetex DMT6018LDR-13, VDSS 60 V, ID 11,4 A, V-DFN3030 de 8 pines, 2elementos
Brand: DiodesZetex
SKU: 1826931
Availability: LimitedAvailability

Código de producto RS: 182-6931Marca: DiodesZetexNúmero de parte de fabricante: DMT6018LDR-13

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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

DiodesZetex

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

11.4 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

V-DFN3030

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

26 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

Tensión de umbral de puerta mínima

Disipación de Potencia Máxima

1.9 W

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

3.05mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

13.9 nC @ 10V

Profundidad

3.05mm

Número de Elementos por Chip

Altura

0.8mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

País de Origen

China

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$ 484

Each (On a Reel of 10000) (Sin IVA)

$ 575,96

Each (On a Reel of 10000) (IVA Incluido)

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10000

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DiodesZetex

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

11.4 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

V-DFN3030

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

26 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

Tensión de umbral de puerta mínima

Disipación de Potencia Máxima

1.9 W

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

3.05mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

13.9 nC @ 10V

Profundidad

3.05mm

Número de Elementos por Chip

Altura

0.8mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

País de Origen

China