Fototransistor NPN ams OSRAM sensible a IR, rango onda λ 880 → 1120 nm, corriente Ic 15mA, mont. pasante, 3 mm

Código de producto RS: 168-5553Marca: ams OSRAMNúmero de parte de fabricante: SFH 309 FA-4
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Espectros Detectados

Infrarrojo

Tiempo de Bajada Típico

7µs

Typical Rise Time

7µs

Number of Channels

1

Maximum Light Current

4500µA

Corriente de Oscuridad Máxima

1 (≤ 50)nA

Ángulo de Sensibilidad Media

±12 °

Polarity

NPN

Number of Pins

1

Tipo de Montaje

Through Hole

Encapsulado

3 mm (T-1)

Dimensiones

3.1 (Dia.) x 5.2mm

Corriente del Colector

15mA

Diámetro

3.1mm

Mínima Longitud de Onda Detectada

880nm

Máxima Longitud de Onda Detectada

1120nm

Rango Espectral de Sensibilidad

880 → 1120 nm

Tensión del colector de emisión

35 V

Altura

5.2mm

Tensión de saturación

200mV

País de Origen

Malaysia

Datos del producto

Fototransistor con encapsulado T-1 (3 mm)

Esta familia de fototransistores de silicio NPN, de OSRAM Opto Semiconductors, se compone de una gama de dispositivos de orificio pasante de 3 mm (T-1). Los dos presentan lentes de plástico negras o transparentes; la lente difusa se utiliza para filtros diurnos. Las aplicaciones adecuadas incluyen fotointerruptores, electrónica industrial y circuitos de control y accionamiento.

Encapsulado estándar de 3 mm (T-1)
Montaje de orificio pasante

IR Phototransistors, OSRAM Opto Semiconductors

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$ 294

Cada Uno (En una Bolsa de 2000) (Sin IVA)

$ 349,86

Cada Uno (En una Bolsa de 2000) (IVA Inc.)

Fototransistor NPN ams OSRAM sensible a IR, rango onda λ 880 → 1120 nm, corriente Ic 15mA, mont. pasante, 3 mm

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Corriente de Oscuridad Máxima

1 (≤ 50)nA

Ángulo de Sensibilidad Media

±12 °

Polarity

NPN

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1

Tipo de Montaje

Through Hole

Encapsulado

3 mm (T-1)

Dimensiones

3.1 (Dia.) x 5.2mm

Corriente del Colector

15mA

Diámetro

3.1mm

Mínima Longitud de Onda Detectada

880nm

Máxima Longitud de Onda Detectada

1120nm

Rango Espectral de Sensibilidad

880 → 1120 nm

Tensión del colector de emisión

35 V

Altura

5.2mm

Tensión de saturación

200mV

País de Origen

Malaysia

Datos del producto

Fototransistor con encapsulado T-1 (3 mm)

Esta familia de fototransistores de silicio NPN, de OSRAM Opto Semiconductors, se compone de una gama de dispositivos de orificio pasante de 3 mm (T-1). Los dos presentan lentes de plástico negras o transparentes; la lente difusa se utiliza para filtros diurnos. Las aplicaciones adecuadas incluyen fotointerruptores, electrónica industrial y circuitos de control y accionamiento.

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