MOSFET Taiwan Semiconductor TSM4N80CI C0G, VDSS 800 V, ID 4 A, ITO-220 de 3 pines, config. Simple

Modo de Canal

Mejora

Número de Elementos por Chip

1

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Transistor Configuration

Single

Tensión de diodo directa

1.5V

Tipo de montaje

Through Hole

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Temperatura Máxima de Operación

+150 ºC

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión Máxima Drenador-Fuente

800 V

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Profundidad

4.6mm

Maximum Continuous Drain Current

4.0 A

Disipación de Potencia Máxima

38.7 W

Tipo de Encapsulado

ITO-220

Longitud:

10mm

Altura

15mm

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3 Ω

Carga Típica de Puerta @ Vgs

20 nC a 10 V

Brand