MOSFET Wolfspeed CCS020M12CM2, VDSS 1.200 V, ID 29 A, Módulo de 28 pines, 6elementos, config. Trifásico
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
WolfspeedTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
29 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1200 V
Tipo de Encapsulado
Module
Tipo de montaje
Screw Mount
Conteo de Pines
28
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
208 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.7V
Disipación de Potencia Máxima
167000 mW
Transistor Configuration
3 Phase
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-10 V, +25 V
Ancho
47mm
Material del transistor
SiC
Número de Elementos por Chip
6
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
108mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
61,5 nC a 20 V, 61,5 nC a 5 V
Altura
17mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 ºC
Tensión de diodo directa
2.3V
Datos del producto
Módulos MOSFET de alimentación de carburo de silicio Wolfspeed
Módulos MOSFET de alimentación de carburo de silicio de Wolfspeed, de la división de soluciones de alimentación de Cree Inc. Estos módulos MOSFET SiC se alojan en encapsulados estándares industriales y están disponibles en formato de medio puente (2 MOSFET) y trifásico (6 MOSFET); también incluyen diodos de recuperación inversa SiC. Entre las aplicaciones típicas se incluyen: calefacción por inducción, inversores eólicos y solares, convertidores DC-DC, PFC trifásico, unidades de regeneración de línea, SAI y SMPS, unidades de motor y cargadores de batería.
• La corriente de recuperación inversa del diodo y la corriente de cola de apagado MOSFET son de valor efectivo cero.
• Funcionamiento a alta frecuencia con pérdida ultrabaja
• Fácil conexión en paralelo gracias a las características SiC
• Funcionamiento redundante a fallos, normalmente apagado
• Placa base de cobre y aislador de nitruro de aluminio que reducen los requisitos térmicos
MOSFET Transistors, Wolfspeed
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$ 391.679
Each (Sin IVA)
$ 466.098
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1
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| 10 - 24 | $ 371.708 |
| 25+ | $ 362.299 |
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N
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.7V
Disipación de Potencia Máxima
167000 mW
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
-10 V, +25 V
Ancho
47mm
Material del transistor
SiC
Número de Elementos por Chip
6
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
108mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
61,5 nC a 20 V, 61,5 nC a 5 V
Altura
17mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 ºC
Tensión de diodo directa
2.3V
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Módulos MOSFET de alimentación de carburo de silicio Wolfspeed
Módulos MOSFET de alimentación de carburo de silicio de Wolfspeed, de la división de soluciones de alimentación de Cree Inc. Estos módulos MOSFET SiC se alojan en encapsulados estándares industriales y están disponibles en formato de medio puente (2 MOSFET) y trifásico (6 MOSFET); también incluyen diodos de recuperación inversa SiC. Entre las aplicaciones típicas se incluyen: calefacción por inducción, inversores eólicos y solares, convertidores DC-DC, PFC trifásico, unidades de regeneración de línea, SAI y SMPS, unidades de motor y cargadores de batería.
• La corriente de recuperación inversa del diodo y la corriente de cola de apagado MOSFET son de valor efectivo cero.
• Funcionamiento a alta frecuencia con pérdida ultrabaja
• Fácil conexión en paralelo gracias a las características SiC
• Funcionamiento redundante a fallos, normalmente apagado
• Placa base de cobre y aislador de nitruro de aluminio que reducen los requisitos térmicos
MOSFET Transistors, Wolfspeed
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