MOSFET Vishay SIR692DP-T1-RE3, VDSS 250 V, ID 24,2 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 134-9731Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SIR692DP-T1-RE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

24.2 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

250 V

Tipo de Encapsulado

PowerPAK SO-8

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

67 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

104 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Ancho

5.26mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Operación

+150 ºC

Carga Típica de Puerta @ Vgs

25,3 nC a 10 V

Longitud

6.25mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Altura

1.12mm

Tensión de diodo directa

1.1V

Datos del producto

MOSFET de canal N, TrenchFET hasta Gen III, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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$ 2.133

Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

$ 2.538,27

Each (In a Pack of 5) (IVA Incluido)

MOSFET Vishay SIR692DP-T1-RE3, VDSS 250 V, ID 24,2 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5$ 10.665
10$ 21.330
15$ 31.995
20$ 42.660
25$ 53.325
30$ 63.990
35$ 74.655
40$ 85.320
45$ 95.985
50$ 90.750
55$ 99.825
60$ 108.900
65$ 117.975
70$ 127.050
75$ 136.125

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35$ 74.655
40$ 85.320
45$ 95.985
50$ 90.750
55$ 99.825
60$ 108.900
65$ 117.975
70$ 127.050
75$ 136.125

Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
5 - 45$ 2.133$ 10.665
50 - 120$ 1.815$ 9.075
125 - 245$ 1.578$ 7.890
250 - 495$ 1.300$ 6.500
500+$ 1.023$ 5.115

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N

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PowerPAK SO-8

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

67 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

104 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Ancho

5.26mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Operación

+150 ºC

Carga Típica de Puerta @ Vgs

25,3 nC a 10 V

Longitud

6.25mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Altura

1.12mm

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