MOSFET Vishay SIHH26N60E-T1-GE3, VDSS 600 V, ID 25 A, PowerPAK 8 x 8 de 4 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
PowerPAK 8 x 8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
135 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
202 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Material del transistor
Si
Longitud
8.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
77 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Ancho
8.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1mm
Serie
E Series
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Taiwan, Province Of China
Datos del producto
MOSFET de canal N, serie E, bajo factor de mérito, Vishay Semiconductor
Los MOSFET de potencia de la serie E de Vishay son transistores de alta tensión con un nivel máximo en resistencia, factor de mérito bajo y una conmutación rápida. Están disponibles en una amplia gama de corrientes nominales. Las aplicaciones típicas incluyen servidores y fuentes de alimentación para telecomunicaciones, iluminación LED, convertidores Flyback, corrección de factor de potencia (PFC) y fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS).
Características
Bajo factor de mérito (FOM) RDS(on) x QG
Baja capacitancia de entrada (Ciss)
Nivel bajo en resistencia (RDS(on))
Carga de compuerta (Qg) ultrabaja
Conmutación rápida
Menores pérdidas por conmutación y conducción
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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$ 6.516
Each (Sin IVA)
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| 100 - 249 | $ 3.579 |
| 250+ | $ 3.390 |
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N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
135 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
202 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Material del transistor
Si
Longitud
8.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
77 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Ancho
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Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1mm
Serie
E Series
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Taiwan, Province Of China
Datos del producto
MOSFET de canal N, serie E, bajo factor de mérito, Vishay Semiconductor
Los MOSFET de potencia de la serie E de Vishay son transistores de alta tensión con un nivel máximo en resistencia, factor de mérito bajo y una conmutación rápida. Están disponibles en una amplia gama de corrientes nominales. Las aplicaciones típicas incluyen servidores y fuentes de alimentación para telecomunicaciones, iluminación LED, convertidores Flyback, corrección de factor de potencia (PFC) y fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS).
Características
Bajo factor de mérito (FOM) RDS(on) x QG
Baja capacitancia de entrada (Ciss)
Nivel bajo en resistencia (RDS(on))
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