MOSFET Vishay SI5448DU-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 25 A, PowerPAK ChipFET de 8 pines, config. Simple

Código de producto RS: 134-9715Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI5448DU-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

25 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Tipo de Encapsulado

PowerPAK ChipFET

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

9,47 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

31000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

+20 V

Profundidad

1.9mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

3mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

26,2 nC a 10 V

Altura

0.8mm

Serie

TrenchFET

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Datos del producto

MOSFET de canal N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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P.O.A.

MOSFET Vishay SI5448DU-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 25 A, PowerPAK ChipFET de 8 pines, config. Simple
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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

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8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

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Mejora

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2.5V

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1V

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TrenchFET

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