MOSFET Vishay SI4599DY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 4,7 A, 6,8 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N, P
Maximum Continuous Drain Current
4.7 A, 6.8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
42.5 mΩ, 62 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
3 W, 3,1 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
11,7 nC a 10 V, 25 nC a 10 V
Ancho
4mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
1.55mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canales N/P dobles, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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$ 963
Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
$ 1.145,97
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 20 - 180 | $ 963 | $ 19.260 |
| 200 - 480 | $ 741 | $ 14.820 |
| 500 - 980 | $ 625 | $ 12.500 |
| 1000 - 1980 | $ 577 | $ 11.540 |
| 2000+ | $ 482 | $ 9.640 |
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40 V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
42.5 mΩ, 62 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
3 W, 3,1 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
11,7 nC a 10 V, 25 nC a 10 V
Ancho
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Material del transistor
Si
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