MOSFET Vishay SI4431CDY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 7,2 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 812-3215Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI4431CDY-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

7.2 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOIC W

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

49 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

4.2 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

25 nC a 10 V

Ancho

4mm

Material del transistor

Si

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Altura

1.55mm

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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$ 1.115

Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)

$ 1.326,85

Each (In a Pack of 20) (IVA Inc.)

MOSFET Vishay SI4431CDY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 7,2 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple
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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 20.

Producción -

Disponible en múltiplos de 20.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

20

Disponible en múltiplos de 20
20$ 22.300
40$ 44.600
60$ 66.900
80$ 89.200
100$ 89.300
120$ 107.160
140$ 125.020
160$ 142.880
180$ 160.740
200$ 169.400
220$ 186.340
240$ 203.280
260$ 220.220
280$ 237.160
300$ 254.100

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140$ 125.020
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180$ 160.740
200$ 169.400
220$ 186.340
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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
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100 - 180$ 893$ 17.860
200 - 480$ 847$ 16.940
500 - 980$ 804$ 16.080
1000+$ 758$ 15.160

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8

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49 mΩ

Modo de Canal

Mejora

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1V

Disipación de Potencia Máxima

4.2 W

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Single

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1

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Longitud

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Si

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