Transistor MOSFET Vishay SI4410BDY-T1-E3, VDSS 30 V, ID 7.5 A, SOIC de 8 pines

Código de producto RS: 710-4702Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI4410BDY-T1-E3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

7.5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOIC W

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

14 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

1.4 W

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

13 nC a 5 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

5mm

Ancho

4mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.55mm

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P.O.A.

Transistor MOSFET Vishay SI4410BDY-T1-E3, VDSS 30 V, ID 7.5 A, SOIC de 8 pines
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Estándar

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

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Tipo de Encapsulado

SOIC W

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

14 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

1.4 W

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

13 nC a 5 V

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1

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