MOSFET Vishay SI1922EDH-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 1,3 A, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
1.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
263 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
1,25 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,6 nC a 8 V
Ancho
1.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N doble, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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$ 405
Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)
$ 481,95
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| 50 - 450 | $ 405 | $ 20.250 |
| 500 - 1200 | $ 300 | $ 15.000 |
| 1250 - 2450 | $ 251 | $ 12.550 |
| 2500 - 4950 | $ 224 | $ 11.200 |
| 5000+ | $ 203 | $ 10.150 |
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N
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1.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
263 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
1,25 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,6 nC a 8 V
Ancho
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Material del transistor
Si
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2
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