MOSFET Vishay SI1062X-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 530 mA, SOT-523 (SC-89) de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
530 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-523 (SC-89)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
762 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
220 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
1.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,8 nC a 8 V
Profundidad
0.95mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
0.8mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 8 V a 25 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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P.O.A.
50
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N
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Tipo de Encapsulado
SOT-523 (SC-89)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
762 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
220 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
1.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,8 nC a 8 V
Profundidad
0.95mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
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